Yacouba Issa Diakité, Sibiry D. Traoré, Yuriy Malozovsky, Bethuel Khamala, Lashounda Franklin, et Diola Bagayoko
Nous rapportons des résultats de calculs auto-consistants, de premier principe, de propriétés électroniques et autres des phases hexagonale (wurtzite) et cubique (zinc blende) du nitrure de gallium (w-GaN et zb-GaN). Nous avons utilisé un potentiel de l’approximation de la densité locale (ADL ou LDA) et le formalisme de la combinaison linéaire d’orbitales (CLOA ou LCAO) atomiques. La mise en œuvre de ce formalisme a suivi la méthode de Bagayoko, Zhao, et Williams (BZW), améliorée par le travail d’Ekuma et de Franklin (BZW-EF). Les propriétés électroniques et connexes calculées, pour les deux structures de GaN, sont en bon accord avec les données expérimentales correspondantes, contrairement aux résultats de la plupart des calculs ab initio précédents utilisant un potentiel de la théorie de la fonctionnelle de la densité (TFD ou DFT). Nos résultats incluent les bandes d’énergies électroniques, les densités totales et partielles d’états (DOS et pDOS), et des masses effectives d’électrons et de trous des deux structures, ainsi que des propriétés structurelles de la phase cubique. Les épaisseurs calculées des bandes interdites de w-GaN et zb-GaN sont 3,289 eV et 2,896 eV, respectivement. Ces valeurs sont en accord avec les résultats expérimentaux dans l’intervalle d’incertitude de -0.2 à +0.2 eV d’expériences d’absorption.
Walanta 